IGBT融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點,具備易于驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高 (10-40 kHz) 等特點,已逐步取代晶閘管和GTO(門極可關斷晶閘管),是目前發展最為迅速的新一代電力電子器件,也是變頻器的重要元件之一,下面,我們來了解一下變頻器IGBT場效應管故障原理。
變頻器輸出電流檢測或電壓檢測的前級電路,出于抗干擾和電源隔離的雙重要求,通常采用線性光耦器件和差分放大器的“配套”電路,來完成信號檢測信號的傳輸任務。其差分放大器的電路形式如圖1所示,以電流檢測電路為例,當R1=R3,R2=R4,同時差分輸入信號為零(停機狀態)時,此時輸出是“虛地”的,為0V,如果不是0V說明該級電路有了問題,上電后的異常報警,其源頭可能在此處了。