IGBT有哪些主要形式和技術參數

IGBT有哪些主要形式和技術參數
IGBT產品有多種形式，主要分為模塊型和芯片型兩大類。模塊化結構有一單元（一個IGBT與一個續流二極管反向并聯）、二單元、四單元、六單元及七單元，高壓IGBT有模塊、平板和片狀IGBT元件。

IGBT的主要參數如下：
1、集電極-發射極額定電壓Uces。這是生產廠家根據器件的雪崩擊穿電壓而規定的電壓值，是柵極-發射極短路時IGBT能夠承受的耐壓值。一般Uces小于或等于雪崩擊穿電壓。
2、柵極-發射極額定電壓Uges。IGBT是電壓控制器件，靠加在柵極的電壓信號控制它的導通和判斷，而Uges就是柵極控制信號的電壓額定值。目前，IGBT的Uges值大部分為+20V。
3、額定集電極電流Ic。這個參數表示IGBT在導通時能流過管子的持續最大電流。目前，市場上IGBT模塊的電流可達1000A以上。
４、集電極-發射極飽和電壓Uce(sat)。這個參數給出IGBT在正常飽和導通時電極-發射極之間的電壓降，這個值越小，管子的功率損耗就越小。
5、開關頻率。IGBT的一個非常重要的優點就是開關頻率高。開關頻率是以導通時間Ton、下降時間Tf和關斷時間Toff形式給出的，根據這些參數可估算出IGBT的開關頻率。最新的IGBT產品有高速開關系列和低導通電壓系列。一般IGBT的實際工作頻率都在100kHz以下，開關頻率高是IGBT模塊的一個重要優點。

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