2 .動態(tài)特性 IGBT 模塊在開通過程中,大部分時(shí)間是作為 MOSFET 來運(yùn)行的,只是在漏源電壓 Uds 下降過程后期, PNP 晶體 管由放大區(qū)至飽和,又增加了一段延遲時(shí)間。" />

亚洲gv不卡中文字幕|国产精品嫖妓一二三区|无码高潮少妇毛多水多水|99久久无码午夜体验区|91久久精品在这里色伊人|亚洲制服丝袜一区二区三区|国产精品成人aaaaa网站|美女脱内衣黄18禁免费久久久,梦入神机,已完本玄幻小说排行榜,女人书籍排行榜

旭興達(dá)--變頻器維修 伺服器維修第一品牌
15036179894
新聞動態(tài)

全國服務(wù)熱線(免長途費(fèi))

400-678-6333

總部電話021-60962753

咨詢熱線13917161138

廣佛總公司客服:

上海分公司客服:

公司技術(shù)部客服:

變頻器常見故障網(wǎng)站首頁 變頻器常見故障 信息正文

變頻器IGBT模塊的工作原理和特性

點(diǎn)擊數(shù):33328 更新時(shí)間:9/15/2011 3:11:14 PM Tag: 變頻器IGBT模塊的工作原理和特性

 相關(guān)文章:

IGBT模塊損壞的原因有哪些?



  變頻器IGBT模塊 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給 PNP 晶體管提供基極電流,使 IGBT 導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,流過反向基極電流,使 IGBT 關(guān)斷。 IGBT 的驅(qū)動方法和 MOSFET 基本相同,只需控制輸入極 N 一溝道 MOSFET ,所以具有高輸入阻抗特性。


  當(dāng) MOSFET 的溝道形成后,從 P+ 基極注入到 N 一層的空穴(少子),對 N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小 N 一層的電阻,使 IGBT 在高電壓 時(shí),也具有低的通態(tài)電壓。


     變頻器IGBT 模塊的工作特性的分類:
  1.靜態(tài)特性 IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和 開關(guān)特性。
IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓 Ugs 為參變量時(shí),漏極電流與 柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓 Ugs 的控 制, Ugs 越高, Id 越大。它與 GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和 區(qū) 1 、放大區(qū) 2 和擊穿特性 3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的 IGBT ,正向電 壓由 J2 結(jié)承擔(dān),反向電壓由 J1 結(jié)承擔(dān)。如果無 N+ 緩沖區(qū),則正反 向阻斷電壓可以做到同樣水平,加入 N+ 緩沖區(qū)后,反向關(guān)斷電壓只 能達(dá)到幾十伏水平,因此限制了 IGBT 的某些應(yīng)用范圍。


  IGBT模塊 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流 Id 與柵源電壓 Ugs 之間的 關(guān)系曲線。它與 MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同,當(dāng)柵源電壓小于開啟電 壓 Ugs(th) 時(shí), IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在 IGBT 導(dǎo)通后的大部分漏極電 流范圍內(nèi), Id 與 Ugs 呈線性關(guān)系。最高柵源電壓受最大漏極電流限 制,其最佳值一般取為 15V 左右。


  IGBT 模塊的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。 IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時(shí),由于它的 PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管,所以其 B 值 極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu),但流過 MOSFET 的電流成為 IGBT 總電流的主要部分。此時(shí),通態(tài)電壓 Uds(on) 可用下式表示


  Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh ( 2 - 14 )
式中 Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓,其值為 0.7 ~ IV ;
Udr ——擴(kuò)展電阻 Rdr 上的壓降;
Roh ——溝道電阻。
通態(tài)電流 Ids 可用下式表示:
Ids=(1+Bpnp)Imos (2 - 15 )
式中 Imos ——流過 MOSFET 的電流。不銹鋼門

  由于 N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),所以 IGBT 的通態(tài)壓降小,耐壓 1000V 的 IGBT 通態(tài)壓降為 2 ~ 3V 。
IGBT 處于斷態(tài)時(shí),只有很小的泄漏電流存在。


  2 .動態(tài)特性 IGBT 模塊在開通過程中,大部分時(shí)間是作為 MOSFET 來運(yùn)行的,只是在漏源電壓 Uds 下降過程后期, PNP 晶體 管由放大區(qū)至飽和,又增加了一段延遲時(shí)間。 td(on) 為開通延遲時(shí)間, tri 為電流上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時(shí)間 ton 即為 td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時(shí)間由 tfe1 和 tfe2 組成,如圖 2 - 58 所示


  變頻器IGBT 模塊在關(guān)斷過程中,漏極電流的波形變?yōu)閮啥巍R驗(yàn)?MOSFET 關(guān)斷后, PNP 晶體管的存儲電荷難以迅速消除,造成漏極電流較長的尾部時(shí)間, td(off) 為關(guān)斷延遲時(shí)間, trv 為電壓 Uds(f) 的上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常常給出的漏極電流的下降時(shí)間 Tf的 t(f1) 和 t(f2) 兩段組成,而漏極電流的關(guān)斷時(shí)間t(off)=td(off)+trv 十 t(f) ( 2 - 16 )式中, td(off) 與 trv 之和又稱為存儲時(shí)間。

推薦文章:

變頻器工作原理

制動單元的原理與作用

主站蜘蛛池模板: 弥渡县| 周口市| 礼泉县| 密山市| 仁布县| 大丰市| 邻水| 秀山| 扎鲁特旗| 响水县| 南皮县| 桃园县| 山西省| 星座| 南漳县| 天长市| 香港| 济宁市| 西吉县| 泾阳县| 寿阳县| 凤山县| 宜川县| 吴旗县| 白朗县| 台江县| 南陵县| 湖口县| 天台县| 政和县| 长宁区| 台安县| 都安| 乌兰县| 华蓥市| 呼伦贝尔市| 成武县| 石泉县| 茶陵县| 广饶县| 乌兰察布市|